一、NAND Flash存儲器行業市場現狀

    NAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種，NAND Flash具有容量大，改寫速度快等特點，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。

    從應用形態上看，NAND Flash的具體產品包括USB（U盤）、閃存卡、SSD（固態硬盤），以及嵌入式存儲（eMMC、eMCP、UFS）等。USB屬于常見的移動存儲設備，閃存卡則用于常見電子設備的外設存儲，如相機、行車記錄儀、玩具等。

    SSD即常見的固態硬盤，一般應用于個人計算機、服務器等領域。SSD作為新興的大容量存儲設備，具有磁盤（傳統HDD硬盤）所不具備的優點，前些年由于SSD高昂的價格，只攻占了磁盤的少部分領域。由于近年SSD價格下降，以及數據中心的迅速擴張，數據存儲的需求也在不斷上升，因此由SSD驅動的NAND Flash的需求增速也較為迅速。

NAND應用領域：固態硬盤（SSD）

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    嵌入式存儲是NAND Flash應用的另一大領域。其特征是將NAND Flash存儲芯片與控制芯片封裝在一起，控制芯片采用特定的通訊協議，可提升存儲數據通訊的速度與穩定性。

    嵌入式存儲主要應用于手機、平板電腦、游戲機、車載電子等新興領域，該手機主板采用的是eMMC。與計算機相同，手機同樣需要處理器、DRAM和NAND Flash，區別在于其產品的最終形態不同，計算機內部的形態為CPU+內存條+硬盤，而手機則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC”。

    智研咨詢發布的《2020-2026年中國NAND FLASH行業競爭格局分析及投資潛力研究報告》數據顯示：從下游具體的產品看，目前NAND Flash主要是應用在手機和SSD上，其占比分別為48%和43%，因此該兩類產品的出貨量則會直接影響NAND Flash的需求。NAND Flash是市場規模僅次于DRAM的存儲芯片，2019年市場規模為460億美元。

NAND Flash下游產品占比

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NAND Flash市場規模

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    與DRAM相同，NAND Flash的市場空間很大程度上依賴于其價格，但是價格則依賴于市場的供需關系，因此直接預測其市場規模的趨勢較難實現。

    一方面，手機、SSD作為NAND Flash的主要下游領域，未來將處于持續上升的趨勢；另一方面，NAND Flash作為大容量數據存儲的首選設備，需求量主要依賴于數據量的大小，預測全球數據圈將從2018年的32ZB增長至2025年的175ZB，增幅將超過5倍。

全球數據圈規模與增長

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    NAND Flash的產業鏈分為NAND Flash原廠顆粒、主控芯片設計、封裝工廠與品牌銷售。各產業鏈環節中，封裝企業與半導體封測企業有較大的重合，如日月光、長電、華天、通富微電等，我國在半導體封測領域處于國際上的第一梯隊，因此在NAND Flash存儲的封裝領域表現也較為優異。

    NAND Flash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處于領先地位，市占率為34%，但NAND Flash市場集中度稍微低于DRAM市場。鎧俠與西數的合資工廠產能共用，若將其收入合并計算，其市占率與三星伯仲相當。國產廠商長江存儲處于起步狀態，正在市場與技術上奮起直追。

2019年NAND Flash原廠顆粒市場格局

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    二、NAND Flash存儲器行業發展展望

    根據每個存儲單元存儲的數據數量，NAND Flash可以分為SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-LevelCell）為每個存儲單元存儲的數據只有1位，即只有0/1兩種狀態，而MLC（Multi-LevelCell）、TLC（Triple-LevelCell）、QLC（Quad-LevelCell）每個存儲單元能存儲的數據分別為2位、3位與4位，可以有4種、8種與16種狀態，存儲空間迅速增加。

    四種類型的NAND Flash性能各有不同，SLC的缺點在于由于其存儲單元存儲的數據少，其單位容量的成本相對于其他類型NAND Flash成本更高，但其優點在于數據保留時間更長、讀寫次數更多、讀取速度更快等。目前NAND Flash的主流應用為SSD等大容量存儲領域，使用MLC、TLC2DNAND或3DNAND等。

SLC/MLC/TCL/QLC示意

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    制程方面，同DRAM一樣，NAND Flash同樣采取1Xnm/1Ynm/1Znm進行工藝技術的度量。不同之處在于，由于物理結構上NAND不需要制作電容器，自2015年制程推進遇到障礙時，制程工藝相對簡單的3D堆疊技術成為新的發展方向。全球3DNAND Flash的產量已于2017年4季度超過2D。目前3D技術正在穩步推進中，未來的發展方向就是層數的繼續堆疊。

不同NAND Flash制程的變化與預測

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    目前市場上的主流3DNAND產品為64層，但國際領先的廠商目前都已擁有100層以上的技術。2019年8月三星電子宣布實現第六代超過100層的3DNAND閃存量產；隨后不久，美光也宣布流片128層的3DNAND，并有望于2020年實現商用化；SK海力士也于6月宣布已經量產128層NAND。

    國產廠商長江存儲于2019年9月量產64層NAND Flash，并計劃直接跳過96層研發128層技術，與國外先進廠商的技術差距正在不斷縮小。

    NAND Flash作為存儲器的一種，其價格也呈現一定的周期性。與DRAM價格周期一致，自2018年初至2019年，NAND Flash價格處于降價周期。經過接近兩年的降價，NAND Flash價格處于較為便宜的狀態，下游的需求因此慢慢擴大，現在數據中心的快速發展快速拉動NAND Flash需求，因此目前價格處于上漲的趨勢中。

NAND Flash價格（美元）：32GbMLC現貨平均價（美元/顆）

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    主要的NAND Flash廠商會在價格周期中，針對需求的變化而調整產能。在上一輪降價周期中，各廠商紛紛暫緩了擴產計劃，在當前價格上升的周期中，各廠家又重啟投資計劃。據不完全統計，2020年NAND Flash的擴產計劃包括：三星公司在西安二期一階段的新工廠，投資規模為9.5萬億韓元，投產后的規模為6.5萬片/月；鎧俠和西數在巖首縣北上市投資70億日元，計劃2020年上半年開始生產3DNAND；鎧俠計劃于2020年底在四日市工廠內建設Fab7工廠，用于投資最新的3DNAND，計劃2022年投產。

    由于三星和鎧俠、西數的競爭仍較為激烈，技術與產能并無明顯的優劣，在各大廠商迅速擴產的背景下，NAND Flash價格的景氣周期可能比DRAM更早結束，進入2021年后價格將重新進入下行軌道。