2018年我國高純濺射靶材行業市場規模分析預測【圖】

高純濺射靶材 2018-01-09 05:33

按照應用領域不同，電子濺射靶材可以分為半導體靶材、平面靶材、鍍膜玻璃靶材、太陽能光伏靶材等，不同應用領域對金屬材料的選擇和性能要求存在一定的差異，其中半導體集成電路用的濺射靶材技術要求最高，最苛刻。

靶材的主要種類與用途

靶材種類	主要用途	主要品種	性能要求
半導體	制備集成電路核心材料	W、鎢鈦（Wti）、Ti、Ta、Al合金、Cu等，純度在4N或5N以上	技術要求最高、超高純度金屬、高精度尺寸、高集成度
平面顯示	濺射技術保證生產薄膜均勻性，提高生產率降低成本	鈮靶、硅靶、Cr靶、鉬靶、MoNb、Al靶、鋁合金靶、銅靶、銅合金	技術要求高、高純度材料、材料面積大、均勻性程度高
裝飾	用于產品表面鍍膜，起美化耐磨耐腐蝕的效果	鉻靶、鈦靶、鋯（Zr）、鎳、鎢、鈦鋁、CrSi、CrTi、CrAlZr、不銹鋼靶	技術要求一般，主要用于裝飾、節能等
工具	工具、模具表面強化，提高壽命與被制造零件質量	TiAl靶、鉻鋁靶、Cr靶、Ti靶、TiN、TiC、Al203等	性能要求較高、使用壽命延長
太陽能光伏	濺射薄膜技術用于第四代薄膜太陽能電池的制作	氧化鋅鋁靶、氧化鋅靶、鋅鋁靶、鉬靶、硫化鎘（CdS）靶、銅銦鎵硒等	技術要求高、應用范圍大
電子器件	用于薄膜電阻、薄膜電容	NiCr靶、鎳鉻硅靶、鉻硅靶、鉭（Ta）靶、鎳鉻鋁靶等	要求電子器件尺寸小、穩定性好、電阻溫度系數小
信息存儲	用于制作磁儲存器	Cr基、鈷（Co）基、鈷鐵基、Ni基等合金	高儲存密度、高傳輸速度

數據來源：公開資料整理

相關報告：智研咨詢發布的《2017-2023年中國高純濺射靶材市場調查研究及投資機會分析報告》

濺射靶材產業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節，其中，靶材制造和濺射鍍膜環節是整個濺射靶材產業鏈中的關鍵環節。高純濺射靶材制造環節技術門檻高、設備投資大，具有規模化生產能力的企業數量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區，其中，部分企業同時開展金屬提純業務，將產業鏈延伸到上游領域；部分企業只擁有濺射靶材生產能力，高純度金屬需要上游企業供應。尤其是半導體用濺射靶材領域，是一個被由美國和日本的少數公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯）等跨國公司壟斷的行業。

由于下游產業蓬勃發展，濺射靶材的市場需求量也在快速提高，尤其是制作工藝更高的高純濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），更是供不應求，呈現高速增長的勢頭。2020年全球濺射靶材的總市場規模將超過160億美元，而高純濺射靶材市場規模年復合增長率可達到13%。高純濺射靶材主要對應平板顯示、半導體、記錄媒體與太陽能電池四大領域。

全球高純濺射靶材市場規模