2025年中國絕緣柵雙極晶體管行業產業鏈圖譜、發展歷程、發展現狀、競爭格局、重點企業以及發展趨勢研判：隨著下游領域快速發展，IGBT需求量將持續增長 [圖]

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的優點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。