一、全球氮化鎵現狀

    氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

    GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。

2017-2020年全球主要半導體材料滲透率

資料來源：公開資料整理

    全球氮化鎵器件市場規模逐年增加，其中2020年全球氮化鎵器件市場規模為184億美元，同比增長28.7%。

2018-2020年全球氮化鎵器件市場規模及增速

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    其中2020年全球氮化鎵市場中，光電氮化鎵器件占比最多為65%，射頻氮化鎵器件占比30%，功率氮化鎵器件占比5%。

2020年全球氮化鎵市場占比

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    相關報告：智研咨詢發布的《2021-2027年中國氮化鎵行業市場經營管理及投資前景預測報告》

    全球氮化鎵行業專利申請數量呈現波動上升的趨勢，2020年全球氮化鎵專利申請量為1742項，同比下降3.3%；全球氮化鎵專利授權數量為467項，同比下降33.7%；氮化鎵專利授權占比有26.8%。

2014-2020年全球氮化鎵專利申請量、授權及授權占比

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    2021年9月全球氮化鎵專利類型占比中，發明專利占比最多為92%；實用新型專利占比為7%；外觀設計專利占比1%。

2021年9月全球氮化鎵專利類型占比

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    其中2020年全球氮化鎵行業技術，日本地區氮化鎵行業占比33%；中國地區氮化鎵行業占比28%；美國地區氮化鎵行業占比21%。

2021年9月全球氮化鎵行業技術來源國占比

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    二、中國氮化鎵現狀

    中國半導體產業逐年增加，2020年中國GaN光電領域應用市場規模約為224.7億元，同比增長36.1%；SiC、GaN電力市場應用市場規模為46.8億元，同比增長19.1%；GaN微波射頻器件應用市場規模為66.1億元，同比增長36.1%。

2017-2020年中國各類區域氮化鎵應用市場規模

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    2020年新能源汽車、PD快充、5G等下游應用市場增長超預期，國內現有產品商業化供給無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子和GaN射頻存在較大缺口。我國半導體各環節國產化率較低，超過八成的產品依賴進口。
2020年中國GaN電力電子里面GaN-on-si外延(折合6英寸)產能為28萬片/年；GaN-on-si器件/模塊(折合6英寸)產能為22萬片/年。

2020年中國各領域氮化鎵產能

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    其中2021年9月中國申請氮化鎵專利數量最多地區為江蘇1916項；其次是廣東地區氮化鎵專利申請數量1657項；再次是北京氮化鎵專利數量1057項。

2021年9月中國目前申請氮化鎵專利數量前十地區

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    以上數據及信息可參考智研咨詢（www.jwnclean.com）發布的《2021-2027年中國氮化鎵行業市場發展調研及投資方向分析報告》。智研咨詢是中國領先產業咨詢機構，提供深度產業研究報告、商業計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產業咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業動態。