一、全球DRAM存儲器行業發展環境
1966年,IBM公司托馬斯•沃森研究中心(Thomas Watson Research Center)的研究人員時年34歲的羅伯特•登納德(Robert Dennard)博士提出了用金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,來制作存儲器芯片的設想,同年研發成功1T/1C結構(一個晶體管加一個電容)的DRAM,并在1968年獲得專利。
自1966年至今已經過去50余年,DRAM市場累計創造了超過1萬億美元產值。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的企業,懷揣巨額資金,高高興興地沖殺進來,卻大都丟盔棄甲黯然離開。包括開創DRAM產業的三大巨頭在內的無數名震世界的產業巨頭轟然倒地;英特爾、德州儀器和IBM,也分別在1985年、1998年和1999年,凄慘地退出了DRAM市場。
2019年第二季度,全球半導體銷售額達到982億美元,較上一季度小幅增長0.3%,但與去年第二季度相比下降16.8%。
2013-2019年上半年全球半導體產業銷售額

資料來源:SIA
在2019年上半年,全球前十五大半導體公司銷售額合計同比下降18%,而全球半導體產業總銷售額同比下降14%。其中,以DRAM、NAND閃存為主的存儲芯片市場波動劇烈,三星、SK海力士和美光三大存儲器廠商2019年上半年業績驟降,同比至少衰退33%,而在2018年上半年,這三家業績同比增長最小也有36%。
1996-2019年6月全球半導體產業銷售額及增速走勢圖

資料來源:SIA
2017年受全球存儲器價格上漲影響,全球半導體存儲器市場規模快速提升,2018年半導體存儲器市場份額下降0.3%至1645億美元,這是近三年來半導體存儲器市場份額的首次負增長。由于大數據和其他數據的使用,對內存的需求正在上升,但由于多家大廠的瘋狂擴產,價格的持續上漲主要落在NAND型閃存中。
2013-2018年全球半導體存儲器市場規模走勢圖

資料來源:SIA、智研咨詢整理
二、全球DRAM存儲器行業發展現狀
2017年開始,由于全球多家存儲器大廠調整產品結構、淘汰部分低端、小容量產品;與此同時,市場對存儲器的需求量有增無減和部分廠商有意控制產能、囤積居奇,共同促使全球缺貨,形成存儲器市場漲價的局面。
2018年全球DRAM存儲器市場規模989億美元,同比增長35.48%,高增速主要來自于近兩年全球市場價格大漲影響。
2013-2018年全球DRAM存儲器市場規模走勢圖

資料來源:IHS、智研咨詢整理
根據智研咨詢發布的《2019-2025年中國DRAM存儲器行業市場競爭現狀及未來發展趨勢研究報告》數據顯示:2018年全球DRAM存儲器均價上升至0.93美元/Gb,比2016年增長了97.87%。
2013-2018年全球DRAM存儲器平均價格走勢圖

資料來源:智研咨詢整理
DRAM產量及分布來看,目前全球DRAM產量在350-360萬片/季度(等效12寸晶圓),其中三星產量約為130-140萬片/季度,SK海力士產量約為95-97萬片/季度,兩者產量之和占據全球份額近65%。
2018-2019年全球DRAM產能分布情況單位:千片等效12寸wafer/季度
企業 | 2018Q1 | 2018Q2 | 2018Q3 | 2018Q4 | 2019Q1 | 2019Q2 | 2019Q3 | 2019Q4 |
三星 | 1218 | 1188 | 1253 | 1331 | 1320 | 1351 | 1394 | 1445 |
美光 | 710 | 715 | 735 | 724 | 726 | 719 | 743 | 749 |
SK海力士 | 874 | 936 | 953 | 943 | 919 | 951 | 968 | 962 |
華亞科 | 270 | 269 | 268 | 267 | 265 | 264 | 262 | 260 |
南亞 | 181 | 179 | 177 | 187 | 186 | 185 | 184 | 184 |
華邦 | 85 | 85 | 85 | 88 | 85 | 85 | 85 | 88 |
其他 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
總計 | 3340 | 3374 | 3474 | 3543 | 3503 | 3556 | 3639 | 3690 |
資料來源:IHS
日韓貿易爭端下可能受到影響的是兩家龍頭廠商的所有產線,目前產業跟蹤來看如果再持續一個月,則2019年三季度產量預計會受到實質性影響。DRAM和NAND領域的風險敞口分別高達65%/46%。一旦發生實質性減產,則DRAM與NAND將在短期內結束下行周期。
近三年,全球DRAM存儲器出貨量呈現出穩定增長趨勢。2018年全球DRAM存儲器出貨量突破1000Gb,達到1063Gb,相比2017年增長12.13%。
2013-2018年全球DRAM存儲器出貨量統計

資料來源:智研咨詢整理
三、全球DRAM存儲器行業發展特點分析
目前DRAM制程基本在20nm與10nm工藝節點,2x/2y/2z這類表示對應不同技術節點,2018年絕大部分工藝節點仍處于2z與1x節點,同時1xnm出貨量近幾年快速增長,2018年全球1xnmDRAM出貨量占比升至60.5%,2018年全球2znm出貨量占比下降至20%。
2016-2018年全球DRAM不同制程節點出貨量占比

資料來源:智研咨詢整理
全球DRAM存儲容量正在快速提升,2015年全球DRAM存儲容量占比中4Gb占比將近80%,到2018年全球DRAM存儲容量占比中,8Gb占比達到83.7%,而大于8Gb容量密度逐步出貨,占比1.1%。
2016-2018年全球DRAM不同容量密度出貨量占比

資料來源:智研咨詢整理
四、全球DRAM存儲器行業發展趨勢
2019年半導體廠商已開始減產和推遲設備投資,但價格仍持續低迷。在存儲器中,DRAM的大單優惠價格比2018年10月下降近3成,促使全球DRAM存儲器市場規模出現明顯下跌。
但從DRAM存儲器應用市場來看,超過50%以上的DRAM存儲器應用在移動存儲領域,包括智能手機、平板電腦、智能穿戴設備,隨著5G應用的影響,移動消費電子存量替代以及新產品推行,有望改善DRAM規模下降趨勢。
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